삼성전자가 기존 고대역폭 메모리(HBM)의 한계를 뛰어넘는 차세대 3D 메모리 아키텍처 'zHBM' 콘셉트 모델을 세계 최초로 공개했다.

삼성전자는 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 글로벌 메모리 행사 '미래 메모리 및 스토리지 2026(FMS 2026)'에 참가해 차세대 AI 메모리 기술 비전과 함께 zHBM 목업(실물 모형)을 선보였다. zHBM은 HBM5 대비 성능이 최대 8배 향상될 것으로 예상되는 차세대 기술이다.

zHBM은 기존처럼 HBM을 AI 가속기(xPU) 옆에 평면으로 배치하던 방식에서 벗어나, AI 가속기 바로 위에 메모리를 수직으로 적층하는 차세대 3D 구조를 적용했다. 이로 인해 AI 프로세서와 메모리 간 데이터 이동 거리가 비약적으로 짧아져 초고속 데이터 처리가 가능해지며 대역폭과 전력 효율이 극대화된다.

차세대 웨이퍼 본딩 기술을 사용하는 zHBM은 HBM5 대비 메모리 집적도를 10배 이상 높일 수 있다. 또한 에너지 효율(전성비)은 3배 향상되고 열 저항은 절반 이하로 줄어들어 초고성능 AI 시스템의 발열 문제와 전력 소모를 효과적으로 개선한다.

특히 메모리와 AI 가속기 사이의 중간층(인터레이어)에 고객 맞춤형 지적재산(IP)을 통합할 수 있어 기업별 특화 설계가 가능하다. 이를 통해 메모리 용량 확장과 가속기 성능 극대화를 동시에 달성할 수 있다.

삼성전자는 메모리, 파운드리, 첨단 패키징 역량을 아우르는 '원스톱 솔루션'을 바탕으로 글로벌 주요 고객사들과의 협력을 강화하고, 대규모 AI 학습 및 추론 시장에서 기술 리더십을 더욱 확고히 할 방침이다.